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山东大学
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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Enhancement Mode Ga2O3 Field Effect Transistor with Local Thinning Channel Layer
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
Crystals
关键字:
Ga2O3;field-effect transistors;enhancement-mode;enhancement?mode;field?effect transistors;Ga2 O3;local thinning
第一作者:
葛磊
论文编号:
1557660919891394562
卷号:
12
期号:
7
字数:
5
是否译文:
否
发表时间:
2022-07-01
上一条:
Temperature Dependence of the Thermal, Electrical Resistivity, Dielectric and Piezoelectric Properties of CaYAl3O7 Crystal
下一条:
Antioxidation and High-Resolution Ultrasonic Temperature Sensor Based on Cr3+:MgAl2O4 Single Crystal Fiber
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