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山东大学
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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Solid-liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
CrystEngComm
关键字:
Carrier concentration;Crystal growth;Crystal impurities;Crystal structure;Crystallization;Galerkin methods;Gallium compounds;Heat transfer;Liquids
第一作者:
穆文祥
论文编号:
1395293011256020994
卷号:
21
期号:
17
页面范围:
2762-2767
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2019-01-01
上一条:
Anisotropic performances and bending stress effects of the flexible solar-blind photodetectors based on β-Ga2O3 (1 0 0) surface
下一条:
Broadband near-infrared Cr3+:β-Ga2O3fluorescent single crystal grown by the EFG method
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