登录
|
山东大学
|
English
贾志泰
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
4英寸氧化镓单晶生长与性能
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
《人工晶体学报》
第一作者：
穆文祥
论文编号：
1575306206225580033
卷号：
51
期号：
Z1
页面范围：
1-5
是否译文：
否
发表时间：
2022-08-31
上一条：
Pt/ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub> Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single Crystal n-ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub> (111) Substrates
下一条：
Enhancing the performance of β-Ga2O3 solar-blind photodetectors based on ZnGa2O4 substrate by bottom-up Zn diffusion doping
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
