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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱：jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Spatially direct charged exciton photoluminescence in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Appl. Phys. Lett.
第一作者：
冀子武
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-141377
是否译文：
否
发表时间：
2008-03-04
上一条：
Built-in electric field and a new type of charged excitons realized in modulation-doped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum well
下一条：
Formation of a highly Erbium doped silicon-on-insulator layer by introducing SiOx on or into a silicon surface
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