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Type-I interband transition in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells under high excitation density

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Semiconductor Science and Technology
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-79606
卷号:
24
期号:
9
页面范围:
095016
是否译文:
发表时间:
2009-08-12