登录
|
首页
|
返回
|
English
冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
返回中文主页
Influence of AlN barrier thickness on AlN/GaN heterostructure optical and transport properties
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS
全部作者:
冀子武,庞智勇,徐现刚
第一作者:
李建飞
论文类型:
基础研究
论文编号:
58217672659C4043A5D3CEFB912E3E26
卷号:
11
期号:
3-
页面范围:
184
是否译文:
否
发表时间:
2017-03-01
上一条:
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
下一条:
Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部