Influence of AlN barrier thickness on AlN/GaN heterostructure optical and transport properties
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS
- 全部作者：
- 冀子武,庞智勇,徐现刚
- 第一作者：
- 李建飞
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 58217672659C4043A5D3CEFB912E3E26
- 卷号：
- 11
- 期号：
- 3-
- 页面范围：
- 184
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-03-01