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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers
所属单位:
微电子学院
全部作者:
肖洪地,栾彩娜,冀子武,刘建强
第一作者:
崔积适
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-198436
卷号:
100
页面范围:
213101
是否译文:
否
发表时间:
2012-06-13
上一条:
Light Control of Ferromagnetism in ZnO Films on Pt Substrate at Room Temperature
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Growth and photoluminescence properties of inclined ZnO and ZnCoO thin _lms on SrTiO3(110) substrates
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