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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Type-I interband transition in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells under high excitation density
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Semiconductor Science and Technology
全部作者:
冀子武
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-79606
卷号:
24
期号:
9
页面范围:
095016
是否译文:
否
发表时间:
2009-08-12
上一条:
ZnSe/BeTe II 型量子阱中界面结构对发光特性的影响
下一条:
Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
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