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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
所属单位:
物理学院
发表刊物:
ACTA PHYSICA SINICA
全部作者:
冀子武
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-88836
卷号:
57
期号:
10
页面范围:
6609
是否译文:
否
发表时间:
2008-10-01
上一条:
C3i-Symmetric Octanuclear Cadmium Cages: Double-Anion-Templated Synthesis, Formation Mechanism, and Properties
下一条:
Spontaneous chiral resolution of a 3D(3,12)-connected MOF with an unprecedentedttt topologyconsisting of cubic [Cd4(μ3-OH)4]clusters and propeller-like ligands
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