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掺杂ZnSe/BeTe II型量子阱结构中带电激子的磁场效应
发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
ACTA PHYSICA SINICA
全部作者:
冀子武
第一作者:
冀子武
论文编号:
lw-88836
卷号:
57
期号:
10
页面范围:
6609
是否译文:
否
发表时间:
2008-10-01
上一条:
Magnetic field effect of charged excitons in n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
下一条:
Optical property of modulated n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells