登录
|
首页
|
返回
|
English
冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
返回中文主页
Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of applied physics
全部作者:
冀子武,肖洪地
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-147132
卷号:
114
页面范围:
093508-1
是否译文:
否
发表时间:
2013-09-05
上一条:
Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars
下一条:
Room temperature ferromagnetic and optical properties of rare earth Sm-doped tris(8-hydroxyquinoline) gallium thin films
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部