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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Annealing effect and photoluminescence properties in Tm+-implanted ZnO crystal
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS
全部作者:
冀子武,庞智勇,徐现刚
第一作者:
李建飞
论文类型:
基础研究
论文编号:
58217672659C4043A5D3CEFB912E3E26
卷号:
11
期号:
3-
页面范围:
184
是否译文:
否
发表时间:
2017-03-01
上一条:
Structure, band gap, and Mn-related mid-gap states in epitaxial single crystal (Zn1-xMgx)(1-y)MnyO thin films
下一条:
Scenarios of polaron-involved molecular adsorption on reduced TiO2(110) surfaces
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