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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
所属单位:
物理学院
发表刊物:
scientific reports
全部作者:
胡季帆,秦宏伟,周广军,冀子武
第一作者:
谢继浩
论文类型:
基础研究
论文编号:
C12330FCA01445FFB146DF6B432766A7
卷号:
7
是否译文:
否
发表时间:
2017-04-10
上一条:
Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars
下一条:
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
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