Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars
发布时间：2019-10-25
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Journal of Luminescence
- 全部作者：
- 冀子武,徐明升,徐现刚
- 第一作者：
- 徐兴连
- 论文编号：
- 4A0FC231FC154DED9E1A0FA98C7B944D
- 卷号：
- 203
- 页面范围：
- 216
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-11-01