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"Double-W-shaped" temperature dependence of emission linewidth in an InGaN/GaN multiple quantum well structure with intense phase separation

发布时间:2021-06-02
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Materials Express
第一作者:
李长富
论文编号:
AF9D7180FFA34FFF90B5E1364DC889A7
卷号:
10
期号:
1
页面范围:
140
字数:
3
是否译文:
发表时间:
2020-01-01