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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Photoluminescence properties of blue and green multiple InGaN/GaN quantum wells
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
Materials Express
关键字:
Ideality Factor;Saturation Current;Variable Temperature;Combination Heterojunction Model;GaN-Based LED
第一作者:
Xu, Mingsheng
论文编号:
1395251152135655425
卷号:
6
期号:
2
页面范围:
205-209
字数:
4200
是否译文:
否
发表时间:
2016-04-01
上一条:
Fabrication and photoluminescence of strong phase-separated InGaN based nanopillar LEDs
下一条:
Light transmission enhancement from hybrid ZnO micro-mesh & nanorod arrays with application to GaN-based light-emitting diodes
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