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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Photoluminescence properties of blue and green multiple InGaN/GaN quantum wells
所属单位:
信息科学与工程学院
关键字:
Annealing;Crystals;II-VI semiconductors;Ions;Oxide minerals;Photoluminescence;Thulium;Zinc oxide
第一作者:
Ming, Xianbing
论文编号:
1395296444402896898
卷号:
274
页面范围:
172-176
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2012-01-01
上一条:
Fabrication and photoluminescence of strong phase-separated InGaN based nanopillar LEDs
下一条:
Light transmission enhancement from hybrid ZnO micro-mesh & nanorod arrays with application to GaN-based light-emitting diodes
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