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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
专利
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用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
所属单位:
物理学院
专利类型:
发明
申请号:
200910020719.0
发明人数:
2
是否职务专利:
否
申请日期:
2009-04-21
公开日期:
2011-04-27
授权日期:
2009-04-21
上一条:
消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法
下一条:
用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备
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