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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
专利
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一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法
所属单位:
集成电路学院
专利类型:
发明
申请号:
202010806206.9
发明人数:
3
是否职务专利:
否
申请日期:
2020-08-12
公开日期:
2024-03-26
授权日期:
2024-03-26
下一条:
一种碲化锌同质外延层的制备方法
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