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AIN/GaN HFET器件中散射机理研究

发布时间:2019-04-17
点击次数:
所属单位:
物理学院
负责人姓名:
林兆军
项目来源单位:
中国电子科技集团第十三所—专用集成电路重点实验室
项目性质:
纵向
项目级别:
地(市、州)级
项目参与人员:
林兆军,林兆军
项目编号:
kyxm-50077
立项时间:
2013-01-01
计划完成时间:
2015-12-31
结项日期:
2015-12-31
开始日期:
2013-01-01
项目批准号:
00