AIN/GaN HFET器件中散射机理研究
点击次数：
所属单位：物理学院
负责人姓名：林兆军
项目来源单位：中国电子科技集团第十三所—专用集成电路重点实验室
项目性质：纵向
项目级别：地(市、州)级
项目参与人员：林兆军,林兆军
项目编号：kyxm-50077
项目批准号：00
立项时间：2013-01-01
开始日期：2013-01-01
计划完成时间：2015-12-31
结项日期：2015-12-31
教授
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2003-12-08
AIN/GaN HFET器件中散射机理研究
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所属单位：物理学院
负责人姓名：林兆军
项目来源单位：中国电子科技集团第十三所—专用集成电路重点实验室
项目性质：纵向
项目级别：地(市、州)级
项目参与人员：林兆军,林兆军
项目编号：kyxm-50077
项目批准号：00
立项时间：2013-01-01
开始日期：2013-01-01
计划完成时间：2015-12-31
结项日期：2015-12-31