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Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Applied physics letters
第一作者:
林兆军
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-79622
卷号:
91
期号:
17
页面范围:
173507 -1
是否译文:
发表时间:
2007-10-24