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林兆军，山东大学集成电路学院，教授，博士生导师。现兼任中国电子学 会半导体与集成技术分会委员、山东省电子学会电子元件与材料专业委员会主任 委员。主要从事 GaN 高频大功率器件和功能模块研究，研究 内容包括：GaN 器件制备、电 学性能、器件建模和功率放大器、开关电源模块性能。到山东大学以来作为项目 负责人，已主持 4 项国家自然科学基金项目，还主持多项省部级项目、军工项目 和横向项目。提出并建立了 GaN 电子器件极化库仑场散射理论，这一理论系统 论述了 GaN 电子器件与极化效应相关的载流子散射机制，完善了 GaN 电子器件 的输运理论，建立了融入极化库仑场散射效应的 GaN 高电子迁移率晶体管速度-电场关系模型，完善了 GaN 高电子迁移率晶体管电流-电压方程。极化库仑场散 射理论说明了 GaN 高电子迁移率晶体管长期以来存在的器件电子速度峰值远小 于 GaN 材料电子速度峰值这一重要问题，表明 GaN 高电子迁移率晶体管沟道电 导调制不仅具有沟道电子密度调制还具有沟道电子速度调制，利用极化库仑场散 射效应可有效抑制 GaN 高电子迁移率晶体管短沟道效应，这些为 GaN 高电子迁 移率晶体管电学性能优化提供重要理论基础。基于极化库仑场散射理论，已建立 优化 GaN 功率放大器线性度的材料和器件结构优化设计规则，并有望为 GaN 功 率放大器和 GaN 开关电源整体性能提升提供材料和器件结构优化设计规则。作 为第一作者和通讯作者发表 SCI 收录论文 70 多篇，其中超过30 篇发表在 Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Trans. Electron Devices.、Scientific Reports 国际重要核心专业期刊，授权 2 项发明专利。
山东大学集成电路学院 , 教授 , 在职
山东大学物理学院 , 教授
美国俄亥俄州立大学
, 电子工程系
, 从事了 AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管的研究工作。
美国西北大学
, 量子器件研究中心
, 开展GaInAs/AlInAs 量子级联激光、GaN 基蓝激光器和发光管研究。
加拿大McMaster大学 , 电子工程系 , 开展 InGaAsP-InP多量子阱激光器的研究工作。
北京大学微电子所 , 博士后 , 从事 GaN 电子器件的研究。
河北大学电子系 , 教师
| Undergraduate Course Name | Semester | Credit | Course Number |
|---|---|---|---|
|
半导体器件理论 |
Autumn Term |
3.0 |
0230007 |
|
半导体物理与器件 |
Autumn Term |
3.0 |
0230080 |
|
半导体器件理论 |
Autumn Term |
3.0 |
0230007 |
| Name | Introduction |
|---|---|
|
开发 SiC、GaN、GaO 基射频、功率器件制备的关键技术； 形成功率半导体器件的测试、建模、评估理论⽅法及技术体系。 |
开发 SiC、GaN、GaO 基射频、功率器件制备的关键技术； 形成功率半导体器件的测试、建模、评估理论⽅法及技术体系。 |
| Project Name | Project Cycle |
|---|---|
|
GFJG-KM20210018 |
2021-10-25,2021-11-30 |
|
增强型GaN电子器件制备研究 |
2020-09-01,2021-09-30 |
|
AlGaN/GaN HFET器件特性测试分析 |
2020-07-01,2021-05-31 |
|
纳米材料表面生化修饰与POPs的选择性富集 |
2007-07-01,2011-12-31 |
|
极化库仑场散射应用于GaN基异质结场效应晶体管器件建模的研究 |
2019-08-16,2023-12-31 |
|
增强型GaN电子器件变温测试研究 |
2019-04-16,2019-12-31 |
|
化学液相技术制造（ZnS）x（Cu2ZnSnS4）1-x复合纳米晶太阳能电池的研究 |
2011-01-01,2013-12-31 |
|
ZnSe/BeTeII型量子结构中I型跃迁、II型跃迁的物理机制及二者的相互关联 |
2008-01-01,2008-12-31 |
|
无线电综合管理平台（微电子材料与器件研发中心） |
2010-10-17,2011-10-16 |
|
微电子学院科研组织建设项目 |
2018-01-01,2018-12-01 |
|
GaN微波HEMT器件定制服务合同 |
2017-12-21,2018-06-30 |
|
新型AlGaN/GaN开关研制 |
2017-06-20,2018-06-20 |
|
微电子学院科研组织建设项目 |
2017-01-01,2017-12-01 |
|
大电流增强型GaN基HEMT器件工艺研发 |
2016-12-20,2021-12-31 |
|
极化库仑场散射与GaN基异质结场效应晶体管源、漏寄生串联电阻关联关系研究 |
2015-08-17,2019-12-31 |
|
基于选择区域生长的非合金欧姆接触GaNHEMT器件基础研究 |
2015-03-01,2017-07-31 |
|
AIN/GaN HFET器件中散射机理研究 |
2013-01-01,2015-12-31 |
|
AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管中应变极化梯度库仑场散射机制研究 |
2011-12-08,2015-12-31 |
|
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管中与AlGaN势垒层应变分布相关的载流子散射机制 |
2011-08-31,2015-12-31 |
|
肖特基接触金属对ALGaN势垒层应变影响研究 |
2008-01-01,2010-12-31 |
|
GaN基氢气探测器研究 |
2007-01-01,2008-12-31 |
| Patent Name | Introduction | Date |
|---|---|---|
|
一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法 |
2025-05-30 |
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|
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法 |
2024-05-28 |
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|
提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法 |
2024-02-02 |
|
|
一种具有辅助栅结构的AlGaN/GaN开口栅异质结场效应晶体管及应用 |
||
|
可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法 |
2011-11-09 |
|
|
确定GaN 异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法 |
2016-03-09 |
|
|
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法 |
||
|
可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法 |
||
|
确定GaN 异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法 |
2013-12-13 |
| Category | Name |
|---|---|
|
Doctor |
唐家乐 樊帆 崔亮 唐家乐 樊帆 崔亮 周衡 王鸣雁 于英霞 付晨 刘阳 姜光远 杨勇雄 付晨 崔鹏 刘艳 杨铭 赵景涛 于英霞 栾崇彪 吕元杰 |
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Master |
杨淇皓 周雁 刘昊 张前 师文靖 张鑫磊 陈云程 王玉堂 王延庆 高三垒 神祥娜 曹芝芳 宋超凡 岳阳 韩瑞龙 李海洋 范宝财 周阳 李东岳 霍宇 李菲菲 顾玲玲 李志远 郝笑寒 张冠 孟丽平 刘昊 岳阳 李海洋 周雁 张鑫磊 郭硕硕 王延庆 孟丽平 郝笑寒 霍宇 韩瑞龙 李志远 师文靖 王玉堂 周阳 杨淇皓 陈云程 高三垒 李菲菲 宋超凡 张冠 曹芝芳 神祥娜 李东岳 王政 荆贤辉 郭洪欢 刘贺宇 徐明星 张欣玮 荆贤辉 刘贺宇 郭洪欢 张前 顾玲玲 范宝财 徐明星 |
