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Influence of annealed ohmic contact metals on polarisation of AlGaN barrier layer
发布时间：2019-04-14
点击次数：
所属单位：
微电子学院
发表刊物：
ELECTRON LETTERS
论文类型：
综合研究
论文编号：
lw-96761
卷号：
39
期号：
19
是否译文：
否
发表时间：
2003-09-18
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Thermal stability of Schottky contacts on strained AlGaN/GaN heterostructures
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Barrier heights of Schottky contacts on strained AlGaN/GaN heterostructures: Determination and effect of metal work functions
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