Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 论文名称：
- Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
- 发表刊物：
- AIP Advances
- 第一作者：
- 刘艳
- 全部作者：
- 林兆军
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- 36506759656F43E3BA7CC3D569527990
- 卷号：
- 7
- 期号：
- 8
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-08
- 发布时间：
- 2019-04-14