Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 全部作者：
- 林兆军,程爱杰
- 第一作者：
- 崔鹏
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- E2988FC1A9E8447E954EB10F064D7460
- 卷号：
- 64
- 期号：
- 3
- 页面范围：
- 1038
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-03-01