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Determination of the polarization and strain distribution in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of Physics and Chemistry of Solids
全部作者:
林兆军
第一作者:
杨铭
论文类型:
综合研究
论文编号:
0F4AB58D786441D79979457A0C072E99
卷号:
123
页面范围:
223
是否译文:
发表时间:
2018-12-01