Determination of the polarization and strain distribution in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间:2019-04-14
点击次数:
- 所属单位:
- 微电子学院
- 发表刊物:
- Journal of Physics and Chemistry of Solids
- 全部作者:
- 林兆军
- 第一作者:
- 杨铭
- 论文类型:
- 综合研究
- 论文编号:
- 0F4AB58D786441D79979457A0C072E99
- 卷号:
- 123
- 页面范围:
- 223
- 是否译文:
- 否
- 发表时间:
- 2018-12-01