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Effect of high temperature annealing on strain and band gap of GaN nanoparticles

发布时间:2019-10-22
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Chinese Physics B
全部作者:
毛宏志,林兆军
第一作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-102044
卷号:
8
期号:
19
页面范围:
086106-1
是否译文:
发表时间:
2010-08-15