A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Superlattices and Microstructures
- 全部作者：
- 林兆军,程爱杰
- 第一作者：
- 付晨
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- 886A7F23170748A3BB5EC63AEBE6B0D2
- 卷号：
- 113
- 页面范围：
- 160
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-01-01