Enhanced effect of side-Ohmic contact processing on the 2DEG electron density and electron mobility of In0.17Al0.83N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Applied physics A
- 全部作者：
- 林兆军
- 第一作者：
- 栾崇彪
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-164557
- 卷号：
- 116
- 页面范围：
- 2065
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2014-04-04