Influence of Ni Schottky contact area on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained AlGaN/GaN heterostructures
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
- 全部作者：
- 林兆军
- 第一作者：
- 林兆军
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- lw-76649
- 卷号：
- 99
- 期号：
- 1
- 字数：
- 3500
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2005-11-22