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Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of Semiconductors
全部作者:
林兆军
第一作者:
林兆军
论文编号:
lw-96791
卷号:
30
期号:
10
页面范围:
102003-1
字数:
3000
是否译文:
发表时间:
2009-10-22