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Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
全部作者:
林兆军,孟令国
第一作者:
林兆军
论文编号:
lw-137932
卷号:
112
页面范围:
054513
是否译文:
发表时间:
2012-09-14