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Comparison for the carrier mobility between the Ⅲ-Ⅴ nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Journal of Semiconductors
全部作者:
林兆军
第一作者:
栾崇彪
论文类型:
综合研究
论文编号:
lw-164593
卷号:
35
期号:
9
字数:
2
是否译文:
发表时间:
2014-01-20