Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 全部作者：
- 林兆军
- 第一作者：
- 林兆军
- 论文编号：
- lw-79622
- 卷号：
- 91
- 期号：
- 17
- 页面范围：
- 173507 -1
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2007-10-24