Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
发布时间：2020-06-02
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
- 发表刊物：
- Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
- 第一作者：
- 崔鹏
- 全部作者：
- 程爱杰
- 论文编号：
- A74EBB06AB1A4AB4A095305DE2E9583B
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-02
- 发布时间：
- 2020-06-02