Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I-V Characteristics
发布时间：2021-06-01
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- ELECTRONICS
- 第一作者：
- 杨勇雄
- 论文编号：
- FC264C5654C643F582F22CD4FE952E9F
- 卷号：
- 9
- 期号：
- 10
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-10-01