Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
发布时间：2021-06-02
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
- 发表刊物：
- Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures
- 第一作者：
- 崔鹏
- 论文编号：
- 149EE7B80B0A4D05A717EA8A1E60AAFD
- 卷号：
- 119
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-05
- 发布时间：
- 2021-06-02