Bias-dependent electron velocity and short-channel effect in scaling sub-100？nm InAlN/GaN HFETs
发布时间：2024-11-21
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Applied Physics Letters
- 第一作者：
- 王鸣雁
- 论文编号：
- 51AD8BC7588A4CD3A8FBDF68C546B47F
- 期号：
- 124
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-04-08