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论文成果
Few-layered MoS<inf>2</inf>as a saturable absorber for a passively Q-switched Er: YAG laser at 1.6 &mu;m
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物：
    Appl. Opt.
  • 全部作者：
    杨克建,李涛,赵圣之,李桂秋
  • 第一作者：
    夏鸿旺
  • 论文编号：
    5B29BE85CE0C409D809018338284BB54
  • 卷号：
    56
  • 期号：
    10
  • 页面范围：
    2766
  • 字数：
    3
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2017-06-01

上一条：Diode-end-pumped Ho, Pr:LiLuF4 bulk laser at 2.95 mu m

下一条：Diode-pumped passively Q-switched mode-locked YVO4/Nd:YVO4 composite crystal laser with LT-GaAs saturable absorber mirror

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