论文成果
Diode-end-pumped Ho, Pr:LiLuF4 bulk laser at 2.95 mu m
  • 所属单位:
    晶体材料研究院
  • 发表刊物:
    Optics Letters
  • 全部作者:
    何京良,张百涛,杨克建,李涛
  • 第一作者:
    聂鸿坤
  • 论文类型:
    基础研究
  • 论文编号:
    F8AF2CCF1E04448FBC79FCD6BCB2BEEC
  • 卷号:
    42
  • 期号:
    4
  • 页面范围:
    699
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2017-02-15

上一条:Doubly passively Q-switched Tm:YAP laser with MoS2 and WS2 saturable absorbers at 2 μm

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