专利名称：基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备及其应用
所属单位：晶体材料研究所
专利类型：发明
申请号：2015101279327
发明人数：14
是否职务专利：否
申请日期：2015-03-23
公开日期：2017-01-18
授权日期：2015-03-23
发布时间：2018-12-06
刘铎教授
刘铎，男，1973年4月出生。1995年本科毕业于中国科学技术大学材料科学与工程系；1998年获中国科学技术大学凝聚态物理硕士学位；2004年毕业于美国得克萨斯休斯敦大学机械工程系，获材料工程博士学位，2004－2006年于休斯敦大学从事博士后研究工作。2006年回国到山东大学晶体材料国家重点实验室工作，任教授、博士生导师。主要从事的科研领域包括宽带隙半导体材料及器件，MEMS传感器，铁电材料学等。自任职以来承担国家重点研发项目课题1项，国家自然科学基金重大研究计划项目2项，国... More+
基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备及其应用
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