基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备及其应用

发布时间:2018-12-06|点击次数:

所属单位:晶体材料研究所

专利类型:发明

申请号:2015101279327

发明人数:14

是否职务专利:否

申请日期:2015-03-23

公开日期:2017-01-18

授权日期:2015-03-23