一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法

发布时间:2019-04-15|点击次数:

所属单位:晶体材料研究所

申请专利人:刘铎

专利类型:发明

申请号:2016105918860

发明人数:1

是否职务专利:否

申请日期:2016-07-26