专利名称：一种利用紫外光致亲水性判断HVPE外延生长蓝宝石衬底GaN掺杂类型的方法
所属单位：晶体材料研究所
专利类型：发明
申请号：2016102059329
发明人数：1
是否职务专利：否
申请日期：2016-04-05
公开日期：2018-08-03
授权日期：2018-08-03
发布时间：2019-04-15
刘铎教授
刘铎，男，1973年4月出生。1995年本科毕业于中国科学技术大学材料科学与工程系；1998年获中国科学技术大学凝聚态物理硕士学位；2004年毕业于美国得克萨斯休斯敦大学机械工程系，获材料工程博士学位，2004－2006年于休斯敦大学从事博士后研究工作。2006年回国到山东大学晶体材料国家重点实验室工作，任教授、博士生导师。主要从事的科研领域包括宽带隙半导体材料及器件，MEMS传感器，铁电材料学等。自任职以来承担国家重点研发项目课题1项，国家自然科学基金重大研究计划项目2项，国... More+
一种利用紫外光致亲水性判断HVPE外延生长蓝宝石衬底GaN掺杂类型的方法
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