专利名称:一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构
所属单位:晶体材料研究所
专利类型:发明
申请号:201410157971.7
发明人数:6
是否职务专利:否
申请日期:2014-04-18
公开日期:2016-08-17
授权日期:2014-04-18
发布时间:2018-07-04
专利名称:一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构
所属单位:晶体材料研究所
专利类型:发明
申请号:201410157971.7
发明人数:6
是否职务专利:否
申请日期:2014-04-18
公开日期:2016-08-17
授权日期:2014-04-18
发布时间:2018-07-04