专利名称:一种利用纳米压痕技术提高发光二极管(LED)光提取效率的方法
所属单位:晶体材料研究所
专利类型:发明
申请号:2014104069951
发明人数:14
是否职务专利:否
申请日期:2014-08-18
公开日期:2017-01-25
授权日期:2014-08-18
发布时间:2018-07-04
专利名称:一种利用纳米压痕技术提高发光二极管(LED)光提取效率的方法
所属单位:晶体材料研究所
专利类型:发明
申请号:2014104069951
发明人数:14
是否职务专利:否
申请日期:2014-08-18
公开日期:2017-01-25
授权日期:2014-08-18
发布时间:2018-07-04