一种利用纳米压痕技术提高发光二极管(LED)光提取效率的方法

发布时间:2018-07-04| 点击次数:

专利名称:一种利用纳米压痕技术提高发光二极管(LED)光提取效率的方法

所属单位:晶体材料研究所

专利类型:发明

申请号:2014104069951

发明人数:14

是否职务专利:否

申请日期:2014-08-18

公开日期:2017-01-25

授权日期:2014-08-18

发布时间:2018-07-04