刘宏

教授

Reduction of the ambient effect in multilayer InSe transistors and a strategy toward stable 2D-based optoelectronic applications

• 所属单位：
  海洋研究院
• 发表刊物：
  Nanoscale
• 关键字：
  光电器件，二维材料
• 第一作者：
  张宇
• 论文编号：
  707500A5C8C54E009C1AB6CCAEF4D61A
• 期号：
  12
• 页面范围：
  18356
• 字数：
  6000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2020-09-17