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山东大学
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刘宏
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Reduction of the ambient effect in multilayer InSe transistors and a strategy toward stable 2D-based optoelectronic applications
所属单位:
海洋研究院
发表刊物:
Nanoscale
关键字:
光电器件,二维材料
第一作者:
张宇
论文类型:
应用研究
论文编号:
707500A5C8C54E009C1AB6CCAEF4D61A
期号:
12
页面范围:
18356
是否译文:
否
发表时间:
2020-09-17
上一条:
Stable InSe transistors with high-field effect mobility for reliable nerve signal sensing
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Partial wet route for YAG powders synthesis leading to transparent ceramics: A core-shell solid-state reaction process
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