刘宏

教授

Construction of High Field-Effect Mobility Multilayer MoS2-Field-Effect Transistors with Excellent Stability through Interface Engineering

• 所属单位：
  集成电路学院
• 发表刊物：
  ACS Applied Electronic Materials
• 关键字：
  二维材料与器件
• 第一作者：
  张宇
• 论文编号：
  7E4E2A8FDBF54B32AF4F39842111CC0D
• 期号：
  2
• 页面范围：
  2132
• 字数：
  3500
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2020-06-16