Synthesis and Growth of 6H-SiC and 3C-SiC in an Al-Si-C System at 820 degrees C: Effect of the Reaction Path on the SiC Polytype
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所属单位：材料科学与工程学院
发表刊物：CRYSTAL GROWTH & DESIGN
第一作者：吴冲冲
论文编号：544669FD738E4E5A8417A37E1FA2F2BE
卷号：20
期号：2
页面范围：1070
字数：4
是否译文：否
发表时间：2020-02-01
发表时间：2020-02-01