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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Deposition and characterization of epitaxial Ta-doped TiO2 films for ultraviolet photoelectric detectors
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Ceramics International
全部作者:
冯先进,肖洪地,栾彩娜,马瑾
第一作者:
赵伟
论文类型:
应用研究
论文编号:
7824885C99594C3B97DAFAC1D8C9226D
卷号:
44
期号:
17
页面范围:
21114
是否译文:
否
发表时间:
2018-12-01
上一条:
Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
下一条:
Fabrication and properties of high quality InGaN-based LEDs with highly reflective nanoporous GaN mirrors
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