教师个人主页
登录
首页
返回
English
教师个人主页
登录
首页
返回
English
论文成果
返回中文主页
Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers
发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
全部作者:
肖洪地,栾彩娜,冀子武,刘建强
第一作者:
崔积适
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-198436
卷号:
100
页面范围:
213101
是否译文:
否
发表时间:
2012-06-13
上一条:
采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
下一条:
Structural and optical properties of Al2xIn2 2xO3 films prepared by metal-organic chemical vapor deposition