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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Preparation and characterization of Al2xIn22xO3 films deposited on MgO (10 0) by MOCVD
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Materials Research Bulletin
全部作者:
栾彩娜,冯先进
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-171206
是否译文:
否
发表时间:
2015-07-16
上一条:
Structure and Optical Properties of Epitaxial Indium Oxide Films Deposited on Y-Stabilized ZrO2 (111) by MOCVD
下一条:
采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
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